IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUC120N06S5N022ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N06S5N022ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N022ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.60 $1.68
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
MSL 레벨 1 —
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — 170 A (Tj)
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 136 W (Tc)
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Technology — OptiMOS-5 trench
Channel Type — N-Channel
핀 수 — 8 (with exposed pad)
RoHS 상태 — Compliant
할로겐 프리 — Yes (per Infineon product family convention)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V]

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