IAUC50N08S5N102ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC50N08S5N102ATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC50N08S5N102ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 3
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 50 A —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4 V (max, typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 21 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1394 pF @ 40 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 60 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Fichas técnicas e recursos

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