IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N10S5L110ATMA1 por Infineon e IAUC100N10S5L054ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™-5 OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 60 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 88 W —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 11 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 1.2 V —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) PG-TDSON-8-34 (surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] -55°C to +175°C
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant per LCSC listing) —
Packing Code ATMA1 (Tape & Reel) —
Nível MSL 1 (per LCSC datasheet snippet) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Livre de halogênio Yes (per Infineon product classification) —
Customer Info / FGR J52 (per Infineon product data) —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
Technology — OptiMOS 5 trench
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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