IAUCN04S6N009TATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S6N009TATMA1 por Infineon e ISC080N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S6N009TATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,71 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Encapsulamento PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Fichas técnicas e recursos

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