IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S6N013TATMA1 por Infineon e IAUC60N04S6L030HATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S6N013TATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,66 | $0,94 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 230 A at T<sub>C</sub> | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max) | 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 133 W at T<sub>C</sub> | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 2.6 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.08 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.7 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 51 pF | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| Encapsulamento | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |