IAUCN04S6N013TATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S6N013TATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N037GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S6N013TATMA1 | IAUCN04S7N037GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,66 | $0,89 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 230 A at T<sub>C</sub> | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max) | 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 133 W at T<sub>C</sub> | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | 2.6 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.08 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.7 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 51 pF | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulamento | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) | SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate attach compatible) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Technology | — | Trench MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 91 A |
| On-State Resistance RDS(on) typical | — | 3.65 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 57 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |