IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7L028ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S7L028ATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,88 | $2,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 2.80 mOhm at VGS=10 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 1.8 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | 24 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.578 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 788 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 36 pF | — |
| Dissipação de potência (Ptot) | 58 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |