IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N006ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N009ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $1,55
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) MOSFET (Metal Oxide)
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Temperatura de operação — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Status RoHS — Compliant
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

Fichas técnicas e recursos

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