IAUS300N08S5N011TATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUS300N08S5N011TATMA1 por Infineon e IQE220N15NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUS300N08S5N011TATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,65 | $0,84 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS-5 (trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 300 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 375 W | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 1.1 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3 V (max) | — |
| Total Gate Charge (Q_G) @ 10V | 231 nC | — |
| Output Capacitance (C_OSS) | 130 pF (typ) | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) | 16.25 nF (typ) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| Encapsulamento | PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Channels | 1 | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (Infineon automotive part) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| Configuração de saída | — | Single N-Channel |
| Temperatura de operação | — | -55C to +150C (junction) |
| Nível MSL | — | 1 |