IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB017N10N5LFATMA1 por Infineon e IPB038N12N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB017N10N5LFATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,05 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Encapsulamento / Caixa PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited) —
Avalanche Rated Yes Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Product Family — OptiMOS 120V
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Gate Drive — Logic-level compatible
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)

Fichas técnicas e recursos

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