IPB017N10N5LFATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB017N10N5LFATMA1 par Infineon et IPB038N12N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB017N10N5LFATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,05 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Linear FET —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) OptiMOS trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 180 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C 313 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V 1.7 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Boîtier / Format PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Avalanche Rated Yes Yes
Linear-Mode (SOA) Optimized Yes (OptiMOS Linear FET) —
Product Family — OptiMOS 120V
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Gate Drive — Logic-level compatible
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis