IPB120N04S402ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB120N04S402ATMA1 por Infineon e IPD50N04S408ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPB120N04S402ATMA1 | IPD50N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,85 | $0,69 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | OptiMOS-T2 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 158 W | — |
| RDS(on) (typ @ VGS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 3 (2 + Tab) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (V DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | — | 50 A |
| Power Dissipation (P D, Tc) | — | 46 W |
| Nível MSL | — | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche tested |
| Green Package (RoHS) | — | RoHS compliant |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] |
| On-State Resistance (R DS(on)) | — | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] |
| Total Gate Charge (Q G) | — | [DATA_NEEDED: Q G typical] |