IPB60R165CPATMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB60R165CPATMA1 por Infineon e IPD60R210PFD7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB60R165CPATMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,78 $0,54
Technology CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 21 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 192 W —
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) 165 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V 3.5 V
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Operating Temperature Range (TJ) -55°C to +150°C —
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMT)
Status RoHS Compliant (Pb-free lead plating) —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC for target applications —
dv/dt Ruggedness Extreme dv/dt rated —
Polarity / Channel N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

Fichas técnicas e recursos

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