IPD031N06L3GATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD031N06L3GATMA1 por Infineon e IPG20N10S436AATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD031N06L3GATMA1 IPG20N10S436AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,68
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 —
Nível MSL 1 (Unlimited) MSL1 (260 C peak reflow)
Status RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Configuration — Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 43 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Operating Temperature (TJ max) — +175 C
JESD-609 Code — e3
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100%
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Channel Type — N-Channel Normal Level

Fichas técnicas e recursos

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