IPD380P06NMATMA1 vs IRFR5305TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD380P06NMATMA1 por Infineon e IRFR5305TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IPD380P06NMATMA1 IRFR5305TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,32
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 60 V —
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) 35 A —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Technology OptiMOS P-channel trench HEXFET (IR MOSFET)
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55 C to +175 C
Gate Drive Logic-level compatible —
Avalanche Rated Yes (per manufacturer datasheet) —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Nível MSL 1 1
Target Applications Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch —
Lead-Free Yes —
Automotive Qualified Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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