IPD380P06NMATMA1 vs IRFR5305TRPBF 比較

詳細な並列比較: IPD380P06NMATMA1 メーカー: Infineon および IRFR5305TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ 生産中
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IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD380P06NMATMA1 IRFR5305TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.32
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 60 V —
連続ドレイン電流(TC=25°C) 35 A —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Technology OptiMOS P-channel trench HEXFET (IR MOSFET)
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +150 C (junction) -55 C to +175 C
Gate Drive Logic-level compatible —
Avalanche Rated Yes (per manufacturer datasheet) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
MSLレベル 1 1
Target Applications Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch —
Lead-Free Yes —
Automotive Qualified Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

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