IPD50N04S408ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N04S408ATMA1 por Infineon e IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N04S408ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,69 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (V DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I D, Tc) 50 A —
Power Dissipation (P D, Tc) 46 W —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Nível MSL MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Tested 100 % Avalanche tested —
Green Package (RoHS) RoHS compliant —
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] —
On-State Resistance (R DS(on)) [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] —
Total Gate Charge (Q G) [DATA_NEEDED: Q G typical] —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fichas técnicas e recursos

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