IPD5N25S3430ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD5N25S3430ATMA1 por Infineon e IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD5N25S3430ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $1,15
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (planar-trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 20 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 430 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V typ / 4 V max —
Input Capacitance (Ciss) 422 pF typical —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 41 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Configuration Single, 3-pin (2+Tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Fichas técnicas e recursos

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