IPD5N25S3430ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD5N25S3430ATMA1 от Infineon и IPB35N10S3L26ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD5N25S3430ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPB35N10S3L26ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD5N25S3430ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,39 | $1,15 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (planar-trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 20 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 430 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V typ / 4 V max | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 422 pF typical | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 41 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Статус RoHS | ROHS3 Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead Finish | Matte Tin (lead-free) | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single, 3-pin (2+Tab) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 35 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 71 W |
| Package Type | — | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| Число выводов | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| RDS(on) (typical per Infineon product page) | — | 26.3 mΩ |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | — | 80 nC |
| Maximum Drain-Source Resistance Rds | — | 1.7 mΩ (per RS Components listing) |
| Minimum Operating Temperature | — | -55 C |
| Maximum Power Dissipation Pd | — | 81 W (per RS Components listing) |
| AEC-Q101 Qualification | — | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] |