IPD70N10S312ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD70N10S312ATMA1 por Infineon e IPD60R280P7SAUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD70N10S312ATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IPD70N10S312ATMA1 —
Product Family OptiMOS-T Power-Transistor —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 12 A
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V max @ ID = 190 µA
Input Capacitance (Ciss) 4355 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 65 nC @ 10 V —
Operating Temperature (TJ) -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (up to 260 °C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100 % (per datasheet) —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Technology — CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
Status RoHS — Compliant
Integrated ESD Protection — Yes

Fichas técnicas e recursos

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