IPD80R280P7ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD80R280P7ATMA1 por Infineon e IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPD80R280P7ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,62 | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 (600 V) |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 17 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 280 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 101 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +150C | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Contagem de pinos | — | 3 (2 + Tab) |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |