IPD80R280P7ATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD80R280P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPB60R280P7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD80R280P7ATMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.62 | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 (600 V) |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 17 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 280 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 101 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| 핀 수 | — | 3 (2 + Tab) |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |