IPD90N06S407ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPD90N06S407ATMA2 por Infineon e IPD70N10S312ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPD90N06S407ATMA2 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,84 | $0,69 |
| FET Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D at T_C) | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A | 6.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 4 V at 40 uA | — |
| Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V | 56 nC | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) | 79 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +175 C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| Encapsulamento | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Green Product) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Technology | — | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +175C |
| Contagem de pinos | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Nível MSL | — | 1 (unlimited floor life) |
| Avalanche Rated | — | Yes |