IPP600N25N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon e IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP600N25N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento / Caixa TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Encapsulamento — PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação