IPP60R180P7XKSA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP60R180P7XKSA1 por Infineon e BSC016N06NSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP60R180P7XKSA1 BSC016N06NSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,30 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C
Encapsulamento PG-TO220-3 (through-hole) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Número de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL N/A (through-hole) [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Series — OptiMOS

Fichas técnicas e recursos

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