IPT017N12NM6ATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon e BSC12DN20NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPT017N12NM6ATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,85 | $0,61 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS power MOSFET |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| Encapsulamento | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-TDSON-8-5 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55C to +175C | — |
| Contagem de pinos | 8 + tab | 8 |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single N-channel |