IPT059N15N3ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT059N15N3ATMA1 por Infineon e IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT059N15N3ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,05 $0,49
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Encapsulamento PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) —
Contagem de pinos 8 + exposed source tab 3 (2 + Tab)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 —
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fichas técnicas e recursos

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