IPT059N15N3ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT059N15N3ATMA1 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPT059N15N3ATMA1 - 150V 5.9mΩ 155A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPT059N15N3ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPT059N15N3ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $0,49 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (trench) | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 155 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.9 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 375 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) | — |
| Nombre de broches | 8 + exposed source tab | 3 (2 + Tab) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Automotive Qualified | No (industrial grade; non-AEC-Q) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |