IQD009N06NM5SCATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQD009N06NM5SCATMA1 por Infineon e IAUCN04S7L042GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQD009N06NM5SCATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 445 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Encapsulamento PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C (Tj)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL classification] 1
Tape and Reel Packaging Yes (suffix SCATMA1) —
Product Family — OptiMOS 7 40V
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Fichas técnicas e recursos

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