IQDH35N03LM5CGATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH35N03LM5CGATMA1 por Infineon e BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH35N03LM5CGATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $0,78
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55C to +150C (Tj)
Encapsulamento PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant —
Livre de halogênio Yes Yes, per IEC 61249-2-21
Channel Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Fichas técnicas e recursos

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