IQDH35N03LM5CGATMA1 vs BSC0902NSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQDH35N03LM5CGATMA1 제조: Infineon 및 BSC0902NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQDH35N03LM5CGATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.45 | $0.78 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C | -55C to +150C (Tj) |
| 패키지 | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free lead plating) |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |