IQDH35N03LM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQDH35N03LM5CGATMA1 por Infineon e IQE036N08NM6CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQDH35N03LM5CGATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $0,88
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Encapsulamento PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
Channel Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 6)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
Encapsulamento / Caixa — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Configuration — Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

Fichas técnicas e recursos

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