IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE013N04LM6ATMA1 por Infineon e IQE008N03LM5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE013N04LM6ATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $1,18
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET Trench MOSFET (N-Channel)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) 2 V (typical)
Encapsulamento PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-WHSON-8 (Source-Down)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) — 252 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 0.85 mΩ at VGS = 10 V
Gate Drive Voltage — 10 V (recommended)
Configuration — Single N-Channel
Cooling Architecture — Source-Down, dual-side cooling
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Fichas técnicas e recursos

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