IQE018N06NM6CGATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE018N06NM6CGATMA1 por Infineon e IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IQE018N06NM6CGATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,21 | $3,10 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| Encapsulamento | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Energia de avalanche de pulso único | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Status RoHS | — | Compliant |