IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE018N06NM6CGATMA1 por Infineon e IQE036N08NM6CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IQE018N06NM6CGATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,21 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 6 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| Encapsulamento | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (junction) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Nível MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |