IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE022N06LM5CGSCATMA1 por Infineon e IQDH88N06LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IQE022N06LM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,05 | $2,31 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 151 A | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 24 A | — |
| Maximum Power Dissipation (TC) | 100 W | — |
| Maximum Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | 2.2 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| Encapsulamento | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| Contagem de pinos | 9 (PG-WHTFN-9) | 9 (with exposed pad) |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |