IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE036N08NM6CGSCATMA1 por Infineon e IQE065N10NM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Ativo
Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $1,28
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 OptiMOS 5
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16.7 A 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC 118 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 125 W —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento / Caixa PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6) OptiMOS 5 trench-gate
Configuration Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) -55 C to +150 C
Packing Tape and Reel (suffix ATMA1) —
Voltage Rating 60 V to 100 V category (80 V nominal) —
Status RoHS Compliant Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C — 85 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 6.5 mOhm
Power Dissipation at TA — 2.5 W
Power Dissipation at TC — 100 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulamento — PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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