IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE220N15NM5CGATMA1 por Infineon e IQE220N15NM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQE220N15NM5CGATMA1 - 150V 44A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGATMA1 ✓ AtivoInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQE220N15NM5CGATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,55 | $2,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 22 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Encapsulamento | PG-TTFN-9-3 (Source-Down) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C (estimated from Tj max) | -55C to +150C (junction) |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 5 | OptiMOS 5, Source-Down |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Contagem de pinos | 9 (TTFN) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |