IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQD009N06NM5SCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 por Infineon e IQD009N06NM5SCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $1,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 150 W 333 W
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
Faixa de temperatura de operação -55 degrees C to +175 degrees C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) —
Status RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Part Series — OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 445 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 0.9 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL classification]
Tape and Reel Packaging — Yes (suffix SCATMA1)

Fichas técnicas e recursos

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