IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 por Infineon e IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C 175 °C
Faixa de temperatura de operação -55 degrees C to +175 degrees C —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-WHTFN-9-1 (surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) Silicon N-Channel Power MOSFET
Status RoHS Compliant —
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 54 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 422 A
RDS(on) Max — 0.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 2 V
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
Series — OptiMOS 7

Fichas técnicas e recursos

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