IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH54NE2LM7UCGATMA1 por Infineon e IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (typical MOSFET range) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 Power-Transistor
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Contagem de pinos — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)

Fichas técnicas e recursos

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