IR2132SPBF vs IRS2110SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2132SPBF por Infineon e IRS2110SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2132SPBF IRS2110SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,55 $0,72
Part Number IR2132SPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Função Half-Bridge Gate Driver IC (3-phase, 6-channel) —
Configuration Inverting input —
Número de saídas 6 (3 high-side, 3 low-side) —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Output Current (Source/Sink) 0.5 A —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility CMOS/LSTTL, down to 2.5 V logic —
Typical Deadtime 0.8 us —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, all 6 channels —
Bootstrap Design Required for high-side channels —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Encapsulamento 28-SOIC (Wide Body, 7.50 mm) 16-SOIC (SOIC-16 W)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix, RoHS compliant) —
Packaging Tube —
Topologia 3-phase bridge driver for MOSFETs/IGBTs —
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Configuração de saída — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS with hysteresis
Status RoHS — Compliant (Pb-free)
Nível MSL — 3

Fichas técnicas e recursos

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