IRF1310NSTRLPBF vs IRFB4110PBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRF1310NSTRLPBF por Infineon e IRFB4110PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRF1310NSTRLPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,84 | $1,55 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263AB) | TO-220AB (through-hole) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +175 °C |
| Status RoHS | — | Compliant (Pb-free suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |