IRF2805PBF vs IRFB4020PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF2805PBF por Infineon e IRFB4020PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF2805PBF IRFB4020PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF2805PBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 175 A (pulsed / package-limited) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 330 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Encapsulamento TO-220AB (3-pin, through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant (Pb-free) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Temperatura de junção de operação — 175 C (max)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

Fichas técnicas e recursos

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