IRF3710STRLPBF vs IRFB4310PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF3710STRLPBF por Infineon e IRFB4310PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF3710STRLPBF IRFB4310PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,23 $1,95
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 170 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
Encapsulamento D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes (Pb-free PBF suffix)
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 5.6 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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