IRF7342TRPBF vs IRF7907TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7342TRPBF por Infineon e IRF7907TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7342TRPBF IRF7907TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,43
Part Number IRF7342TRPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench)
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (Tj) -55 C to +150 C
Encapsulamento 8-SOIC (SO-8), surface mount 8-SOIC (SO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 9.1 A per channel at 25 C
Pulsed Drain Current (IDM) Max — 11 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 11.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V (typ)
Total Power Dissipation (PD) Max — 2 W
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Status RoHS — Compliant
Channel Polarity — N-Channel (both)

Fichas técnicas e recursos

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