IRF7342TRPBF vs IRFR9024NTRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRF7342TRPBF por Infineon e IRFR9024NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRF7342TRPBF | IRFR9024NTRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,48 | $0,17 |
| Part Number | IRF7342TRPBF | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel | HEXFET (Gen 5) |
| Configuration | Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | -3.4 A at 25 C | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.105 ohm max at VGS = -10 V | — |
| Maximum Power Dissumption (Pd) | 2 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C (Tj) | — |
| Encapsulamento | 8-SOIC (SO-8), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) | — |
| Channel Type | P-Channel (enhancement mode) | — |
| Number of Channels | 2 (dual array) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Tc=25C) | — | -11 A |
| Corrente de dreno pulsada | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | ±20 V |
| VGS(th) (Threshold Voltage) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | — | 175 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 12.7 nC |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25C) | — | 38 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +175C |
| Contagem de pinos | — | 3 |
| Status RoHS | — | Compliant |