IRF7389PBF vs IRF7341GTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7389PBF por Infineon e IRF7341GTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7389PBF IRF7341GTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,76
Configuration N and P-Channel (complementary half-bridge) Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) 30 V —
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) -30 V —
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) 7.3 A —
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) -5.3 A —
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max 0.029 ohm at V_GS=10V —
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max 0.058 ohm at V_GS=10V —
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical 22 nC —
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical 23 nC —
Power Dissipation (P_D) 2.5 W —
Technology Generation V HEXFET IR HEXFET Planar MOSFET
Encapsulamento SO-8 (SOIC-8) surface mount 8-SO (SOIC-8)
Pinout Industry-standard complementary SO-8 —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -55 C to +175 C
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Livre de halogênio Yes —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]

Fichas técnicas e recursos

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