IRF7769L1TRPBF vs IRFP2907PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7769L1TRPBF por Infineon e IRFP2907PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7769L1TRPBF IRFP2907PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,72 $2,45
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
Corrente de dreno pulsada 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Encapsulamento DirectFET Isometric L8 —
Package Profile 0.7 mm —
Tipo de montagem Surface Mount —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Nível MSL 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
Livre de halogênio Yes —
RoHS Compliance Compliant Yes (Pb-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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