IRF7815TRPBF vs IRFR4615TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7815TRPBF por Infineon e IRFR4615TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7815TRPBF IRFR4615TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,39
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 150 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 43 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 25 nC —
Maximum Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) -55C to +175C
Encapsulamento SO-8 (8-SO) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Energia de avalanche de pulso único — 109 mJ

Fichas técnicas e recursos

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